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VVZB 135
150
A
90
A
I C
120
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F
60
T VJ = 125°C
90
60
30
30
0
V GE = 15V
0
T VJ = 25°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5 V 4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0 V 3.5
V CE
Fig. 9 Typ. output characteristics
V F
Fig. 10 Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
E off
9
mJ
6
t d(off)
900
ns
600
t
E off
10
mJ
8
t d(off)
1000
ns
800
t
6
600
3
E off
V CE = 720 V
V GE = ±15 V
R G = 22 Ω
T VJ = 125°C
300
4
2
E off
V CE = 720 V
V GE = ±15 V
I C = 50 A
T VJ = 125°C
400
200
0
0
20
40
60
80
t f
0
100 A 120
0
0
10
20
30
40
t f
0
50 Ω 60
1
I C
Fig. 11 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
diode
R G
Fig. 12 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
K/W
0.1
Z thJC
0.01
IGBT
R
10000
Ω
1000
0.001
single pulse
0.0001
100
VVZB 135
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
0
25
50
75
100
125 °C 150
t
Fig. 13 Typ. transient thermal impedance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
T
Fig. 14 Typ. thermistor resistance versus
temperature
20070912a
5-5
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